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在現代科學研究的浩瀚宇宙中，微觀世界的探索一直是科學家們不懈追求的目標。而二次離子質譜儀（SecondaryIonMassSpectrometry，簡稱SIMS）無疑是這一探索旅程中的重要工具，它為我們揭開了物質內部結構與成分的神秘面紗。一、什么是二次離子質譜儀二次離子質譜儀是一種高精度的分析儀器，主要用于分析固體表面和薄層的元素組成和同位素分布。其工作原理是通過高能量的初級離子束轟擊樣品表面，使樣品表面原子電離，產生二次離子。這些二次離子被加速、聚焦后進入質量分析器，通過測...

在分析科學領域，飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS）堪稱材料表面分析的"終_極工具"。這種高_端分析儀器能夠以驚人的靈敏度和空間分辨率揭示材料最表層的化學成分信息，成為表面科學研究的利器。TOF-SIMS的工作原理極其精妙：通過一次離子束轟擊樣品表面，濺射出二次離子，這些離子根據質量-電荷比在飛行管中分離，最終被檢測器捕獲。飛行時間質量分析器的獨_特設計使其具備高質量分辨率和高靈敏度雙重優(yōu)勢，能夠同時檢測從氫到重金屬的全部元素，甚至包括復雜的有機分子。這種技術的突出特點...

在微觀結構分析領域，如何在不破壞樣本的前提下，精準呈現物質內部的三維形態(tài)與空間分布，一直是科研與工業(yè)界的核心需求。X射線顯微CT技術憑借無損成像、高分辨率、三維重構的優(yōu)勢，突破了傳統微觀檢測的局限，成為探索微觀世界的利器，廣泛應用于材料科學、生命科學、工業(yè)檢測等多個領域。在材料科學研究中，X射線顯微CT是解析材料微觀結構的顯微鏡。無論是金屬材料的內部孔隙、陶瓷材料的晶粒分布，還是復合材料的界面結合狀態(tài)，它都能通過X射線穿透樣本后產生的衰減差異，經計算機算法重構出三維立體圖像，...

X4Poseidon多模塊高分辨顯微CT：生活中的科技-羽毛球的結構布魯克X射線部門王金波羽毛球：從貴族的“羽毛”到平民的“飛來飛去”你知道嗎？羽毛球這項運動原先可是貴族的“高級玩具”！它的起源可以追溯到19世紀的英國，名字叫“BattledoreａndShuttlecock”（擊球和飛梭）。那時候，英國貴族們穿著繁復的禮服，手持木制球拍，在莊園的草坪上優(yōu)雅地揮舞，試圖讓一個插滿羽毛的軟木球在空中多飛一會兒。規(guī)則？幾乎沒有！只要別讓那只“羽毛球”落地，就算贏。這種游戲很早其實...

Lexsyg釋光探測器|在地質測年領域應用分享文章來源：https://doi.org/10.3389/feart.2021.755084導語亞美尼亞東北部的Sevkar地區，保存著連接黑海與里海的關鍵黃土剖面，記錄了數十萬年的氣候變遷。近期，德國吉森大學團隊在《FrontiersinEarthScience》發(fā)表研究，通過LexsygSmart釋光儀成功構建了Achajur黃土剖面的高精度年代框架，為歐亞大陸古氣候重建提供了重要線索。Lexsyg儀器：精確測年的重要工具研究...

在材料分析領域，俄歇電子能譜儀（AES）以其工作原理和性能，成為研究元素組成與化學狀態(tài)的重要工具。相較于其他表面分析技術，它尤其擅長對輕元素的檢測，展現出其優(yōu)勢。俄歇電子能譜儀基于俄歇效應工作。當具有足夠能量的入射電子轟擊樣品時，原子內殼層電子被激發(fā)電離后，外層電子躍遷填補空位并釋放多余能量，這些能量以特征X射線或俄歇電子的形式發(fā)射出來。而由于輕元素的原子結構特點，其產生俄歇電子的概率遠高于重元素產生特征X射線的概率。這一特性使得電子能譜儀在探測輕元素時更為靈敏和準確。對于輕...

在材料科學、地質礦產、生物醫(yī)藥等領域，粉末衍射儀是探究物質微觀結構的核心分析儀器，通過解析晶體衍射圖案，可精準獲取物質的物相組成、晶體結構等關鍵信息，為科研創(chuàng)新與工業(yè)生產提供重要依據。?這是利用X射線粉末衍射原理分析物質結構的儀器。其核心原理基于布拉格方程：當X射線照射到晶體粉末樣品時，若射線波長、晶面間距與衍射角滿足特定關系，就會產生相干加強的衍射信號。儀器通過探測器捕捉衍射信號，形成“衍射強度-衍射角”圖譜，再結合數據庫檢索與結構解析，確定物質的物相種類、晶體結構、晶粒大...

光學表征技術在材料科學中面臨光譜斷層、雜散光干擾及效率瓶頸等挑戰(zhàn)。DPM100單色儀通過熔融石英雙棱鏡無鏡設計，實現了0.4–7.3eV寬光譜連續(xù)輸出，并以10?雜散光抑制能力突破傳統光柵單色儀的局限（需多組件切換且依賴真空環(huán)境）。其導向光學滑軌動態(tài)補償焦距色散，確保深紫外區透射率19%，全譜掃描效率提升4倍。本文以光電子發(fā)射譜（PES）、表面光電壓譜（SPV）、光電流譜（PCS）和光學透射譜（OTS）為案例，驗證DPM100在空氣環(huán)境功函數測量、超寬禁帶半導體缺陷檢測及光電...